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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Confronto
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
41
Intorno -58% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.4
11.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.8
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
26
Velocità di lettura, GB/s
11.6
19.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
16.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1438
3899
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Confronto tra le RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
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