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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Confronto
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Punteggio complessivo
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
54
Intorno 24% latenza inferiore
Motivi da considerare
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.2
11.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.3
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
54
Velocità di lettura, GB/s
11.6
15.2
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1438
2938
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Confronto tra le RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
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