RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Confronto
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
49
Intorno 16% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.6
10.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.3
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
49
Velocità di lettura, GB/s
11.6
10.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
8.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1438
2413
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Confronto tra le RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link