RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Confronto
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.6
9.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.3
6.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
41
Intorno -8% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
38
Velocità di lettura, GB/s
11.6
9.3
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
6.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1438
1493
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Confronto tra le RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link