RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Confronto
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Punteggio complessivo
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
18
41
Intorno -128% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.5
11.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.2
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
18
Velocità di lettura, GB/s
11.6
20.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
16.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1438
3564
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Confronto tra le RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Team Group Inc. 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link