RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Confronto
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Punteggio complessivo
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
41
Intorno -86% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
21
11.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
19.6
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
22
Velocità di lettura, GB/s
11.6
21.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
19.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1438
4240
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Confronto tra le RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link