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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Confronto
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
43
Intorno -34% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.1
10.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.9
6.8
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
32
Velocità di lettura, GB/s
10.7
14.1
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
13.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
no data
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
, 1.20000005, CAS Supported:
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
no data
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1314
2918
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Confronto tra le RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
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