RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Confronto
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
43
Intorno -30% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.2
10.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
33
Velocità di lettura, GB/s
10.7
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1314
3116
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Confronto tra le RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link