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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Confronto
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
10.7
9.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.8
6.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
43
Intorno -13% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
38
Velocità di lettura, GB/s
10.7
9.3
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
6.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1314
1493
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Confronto tra le RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
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