RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Confronto
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
43
Intorno -26% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.3
10.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.7
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
34
Velocità di lettura, GB/s
10.7
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
11.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1314
2962
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Confronto tra le RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link