RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Confronto
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
43
49
Intorno 12% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
10.7
8.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
49
Velocità di lettura, GB/s
10.7
8.8
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
8.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1314
2331
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Confronto tra le RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kllisre 8GB
SK Hynix V-GeN D3H8GL1600RN 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link