RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Confronto
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Punteggio complessivo
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
38
Intorno -52% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.4
10.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.4
6.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
25
Velocità di lettura, GB/s
10.9
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
6.6
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1406
2786
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Corsair CMV4GX3M1C1600C11 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link