RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Confronto
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
38
Intorno -15% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.9
10.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.0
6.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
33
Velocità di lettura, GB/s
10.9
17.9
Velocità di scrittura, GB/s
6.6
15.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1406
3385
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link