RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Confronto
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
38
Intorno -41% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
22.7
10.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.9
6.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
27
Velocità di lettura, GB/s
10.9
22.7
Velocità di scrittura, GB/s
6.6
14.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1406
3861
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link