RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Confronto
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
83
Intorno 54% latenza inferiore
Motivi da considerare
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.3
10.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.8
6.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
83
Velocità di lettura, GB/s
10.9
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
6.6
7.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1406
1752
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link