RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Confronto
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
38
Intorno -9% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.1
10.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.6
6.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
35
Velocità di lettura, GB/s
10.9
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
6.6
9.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1406
2502
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link