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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Confronto
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
39
Intorno 3% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.1
10.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.7
6.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
39
Velocità di lettura, GB/s
10.9
14.1
Velocità di scrittura, GB/s
6.6
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1406
2183
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R948G3206U2S 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
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