SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB

Punteggio complessivo
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

Punteggio complessivo
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Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB

Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    10.9 left arrow 9.8
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    12800 left arrow 10600
    Intorno 1.21% larghezza di banda superiore
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    31 left arrow 38
    Intorno -23% latenza inferiore
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    6.7 left arrow 6.6
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    38 left arrow 31
  • Velocità di lettura, GB/s
    10.9 left arrow 9.8
  • Velocità di scrittura, GB/s
    6.6 left arrow 6.7
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 10600
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1406 left arrow 1304
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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