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SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Confronto
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Punteggio complessivo
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
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Motivi da considerare
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
39
Intorno -63% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.5
7.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
24
Velocità di lettura, GB/s
12.8
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.7
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1775
2703
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB Confronto tra le RAM
AMD R5S34G1601U1S 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
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G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
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