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SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Confronto
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Punteggio complessivo
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.8
12.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
39
Intorno -50% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.7
7.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
26
Velocità di lettura, GB/s
12.8
12.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.7
8.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1775
2257
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB Confronto tra le RAM
AMD R5S34G1601U1S 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
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Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
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