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SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Confronto
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.8
11.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.7
7.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
39
39
Velocità di lettura, GB/s
12.8
11.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.7
7.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
10600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1775
1749
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB Confronto tra le RAM
AMD R5S34G1601U1S 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
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