RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Confronto
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
43
Intorno -48% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.2
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.0
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
29
Velocità di lettura, GB/s
12.3
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
13.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1706
3416
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link