RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Confronto
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
43
Intorno -59% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
22.7
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.9
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
27
Velocità di lettura, GB/s
12.3
22.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
14.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1706
3861
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link