RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
INTENSO 4GB
Confronto
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs INTENSO 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Punteggio complessivo
INTENSO 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.3
12.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
INTENSO 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
43
Intorno -19% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.3
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
INTENSO 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
36
Velocità di lettura, GB/s
12.3
12.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
9.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1706
2061
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
INTENSO 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
INTENSO 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link