RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Confronto
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
43
66
Intorno 35% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.1
6.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.4
12.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
66
Velocità di lettura, GB/s
12.3
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
6.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1706
1737
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link