RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Confronto
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
43
Intorno -26% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.3
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.9
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
34
Velocità di lettura, GB/s
12.3
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
10.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1706
2201
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 160C0 V3 Series 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link