RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Confronto
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
43
Intorno -16% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.6
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
37
Velocità di lettura, GB/s
12.3
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
11.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1706
2907
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link