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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Confronto
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.1
8.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
43
Intorno -87% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
12.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
23
Velocità di lettura, GB/s
12.3
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
8.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1706
2414
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
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