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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Confronto
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Punteggio complessivo
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
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Motivi da considerare
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
37
Intorno -48% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.9
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
14900
Intorno 1.14 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
25
Velocità di lettura, GB/s
9.8
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
14900
17000
Other
Descrizione
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2065
3023
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Confronto tra le RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB Confronto tra le RAM
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
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