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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Confronto
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
37
Intorno -76% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.1
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.5
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
14900
Intorno 1.43 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
21
Velocità di lettura, GB/s
9.8
19.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
14900
21300
Other
Descrizione
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2065
3427
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Confronto tra le RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
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Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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