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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Confronto
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
37
Intorno -16% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.9
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
14900
Intorno 1.43 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
32
Velocità di lettura, GB/s
9.8
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
14900
21300
Other
Descrizione
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2065
2952
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Confronto tra le RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
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