RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Confronto
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
50
Intorno 26% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
10.6
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.8
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
14900
Intorno 1.14 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
50
Velocità di lettura, GB/s
9.8
10.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
8.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
14900
17000
Other
Descrizione
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2065
2393
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Confronto tra le RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link