RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Confronto
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
50
Intorno 26% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
10.6
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.8
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
14900
Intorno 1.14 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
50
Velocità di lettura, GB/s
9.8
10.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
8.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
14900
17000
Other
Descrizione
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2065
2393
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Confronto tra le RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Panram International Corporation M424051 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link