SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C-PB 4GB

Punteggio complessivo
star star star star star
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C-PB 4GB

Differenze

  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    6.8 left arrow 6.1
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    28 left arrow 47
    Intorno -68% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    10.7 left arrow 9.7
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    12800 left arrow 10600
    Intorno 1.21 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    47 left arrow 28
  • Velocità di lettura, GB/s
    9.7 left arrow 10.7
  • Velocità di scrittura, GB/s
    6.8 left arrow 6.1
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1549 left arrow 1720
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti