RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Confronto
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
46
Intorno -109% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
11.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.3
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
22
Velocità di lettura, GB/s
11.6
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
12.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1854
3036
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link