RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Confronto
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Punteggio complessivo
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
46
63
Intorno 27% latenza inferiore
Motivi da considerare
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17
11.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.8
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
63
Velocità di lettura, GB/s
11.6
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
8.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1854
2061
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Strontium SRP2G86U1-S6M 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
INTENSO 5641152 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link