RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Confronto
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
42
Intorno -31% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.3
13.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
8.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
32
Velocità di lettura, GB/s
13.7
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.3
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2152
2677
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kllisre KRE-D3S1600M/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link