RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Confronto
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
42
71
Intorno 41% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.3
7.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
13.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
71
Velocità di lettura, GB/s
13.7
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.3
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2152
1757
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kllisre KRE-D3S1600M/8G 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link