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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Confronto
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.7
10.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.3
7.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
42
Intorno -14% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
37
Velocità di lettura, GB/s
13.7
10.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.3
7.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2152
2213
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kllisre KRE-D3S1600M/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
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