RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Confronto
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Punteggio complessivo
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.7
13
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.3
7.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
42
Intorno -14% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
37
Velocità di lettura, GB/s
13.7
13.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.3
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2152
2512
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kllisre KRE-D3S1600M/8G 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link