RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Confronto
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
42
Intorno -56% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15
13.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.9
8.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
27
Velocità di lettura, GB/s
13.7
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.3
10.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2152
2288
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kllisre KRE-D3S1600M/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link