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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Confronto
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Differenze
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Motivi da considerare
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
42
Intorno -91% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.9
13.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
18.5
8.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
22
Velocità di lettura, GB/s
13.7
20.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.3
18.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2152
4324
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB Confronto tra le RAM
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Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
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