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SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Confronto
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB vs Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
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Motivi da considerare
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
44
48
Intorno -9% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.7
11.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
48
44
Velocità di lettura, GB/s
11.6
11.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
9.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2029
2727
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
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