RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Confronto
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
41
Intorno -11% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.9
13.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.9
9.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
37
Velocità di lettura, GB/s
13.7
13.9
Velocità di scrittura, GB/s
9.3
9.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2290
2389
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link