RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Confronto
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
41
Intorno -58% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.4
10.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.3
7.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
26
Velocità di lettura, GB/s
10.1
19.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.1
15.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1484
3648
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Confronto tra le RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link