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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Confronto
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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Motivi da considerare
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
41
Intorno -8% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.4
10.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.6
7.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
38
Velocità di lettura, GB/s
10.1
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.1
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1484
3147
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Confronto tra le RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
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G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
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