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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Confronto
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
50
Intorno 18% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
10.6
10.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.8
7.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
50
Velocità di lettura, GB/s
10.1
10.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.1
8.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1484
2393
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Confronto tra le RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
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