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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Confronto
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB vs Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Punteggio complessivo
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
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Motivi da considerare
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
42
Intorno -83% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
11.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.7
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
23
Velocità di lettura, GB/s
11.7
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
11.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2535
3147
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT42GR7BFR4A-PB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
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