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SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Confronto
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
52
Intorno -100% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.4
9.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.3
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
14900
Intorno 1.14 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
26
Velocità di lettura, GB/s
9.9
19.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
15.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
14900
17000
Other
Descrizione
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2285
3648
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
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