RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Confronto
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB vs G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
44
Intorno -76% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.7
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.5
7.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
25
Velocità di lettura, GB/s
12.3
19.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.9
17.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2022
3917
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link