RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Confronto
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
44
Intorno -83% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.1
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
24
Velocità di lettura, GB/s
12.3
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1977
2332
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link